ملخص البحث رقم (
7 )
DC electric-field effect in bulk and
thin-film Ge5As38Te57 Chalcogenide glass
Vacuum 59 (2000) 845-853
A. Abdel-All, A. Elshafie, M.M. El-Hawary
The electrical properties of Ge5As38Te57 have
been carried out as a function of temperature at di!erent dc electric
"elds for the bulk and thin "lms. This material shows a non-ohmic
behaviour by switching to a negative resistance state. The activation energy
was found to decrease slowly as the electric "eld increases and increases
again before switching to the negative region. The conduction is simply a
"eld-dependent hopping mobility at low "elds. The high-"eld
conduction mechanisms have been explained in terms of the Poole}Frenkel e!ect
and Schottky emission of carriers which is applicable to both bulk and thin "lms.
تم دراسة الخواص الكهربية ل (Ge5As38Te57 ) كدالة في درجات الحرارة عند
تطبيق عدة مجالات كهربية مختلفة سواء للمادة
في الهيئة الكتلية او تلك التي علي
هيئة اغشية رقيقة .هذة المواد يظهر بها السلوك الغير خطي للمقاومة عن طريق التحول
الي حالة المقاومة السالبة.وقد وجد ان طاقة التنشيط تقل ببطء كلما ذادت شدة المجال
الكهربي ثم تزيد مجددا وذلك قبل التحول لحالة المقاومة السالبة-ان الموصلية عند
قيم منخفضة من المجال الكهربي هي ببساطة عبارة عن قفزات في القابلية للحركة.اما
عند القيم الكبيرة للمجال الكهربي فانة
يمكن تفسير الموصلية علي انها ظاهرة (يول-فرنكل) وظاهرة انبعاث شوتكي
للناقلات الكهربية والتي تنطبق علي المادة سواء في الشكل الكتلى او الاغشية الرقيقة
.
Post a Comment